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科研

一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件专利

2011/11/30 | 来自：

2008年2月6日获得一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件专利专利号：ZL 2007 2 0067356.2

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